Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / EL817(M)(A))-VG
Herstellerteilenummer | EL817(M)(A))-VG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EL817(M)(A))-VG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
EL817(M)(A))-VG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 5000Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 80% @ 5mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | 160% @ 5mA |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | - |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 6µs, 8µs |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Transistor |
Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
Strom - Ausgang / Kanal | 50mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 60mA |
Vce-Sättigung (max.) | 200mV |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-DIP (0.400", 10.16mm) |
Supplier Device Package | 4-DIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL817(M)(A))-VG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EL817(M)(A))-VG-FT |
PC817X7NSZ1B
SHARP/Socle Technology
PC817XNNSZ1B
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Xilinx Inc.
EP20K400CF672C8N
Intel
XC6VLX550T-2FFG1759E
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CPG196C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6LMG328C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780I6N
Intel
EPF10K50VQC240-1N
Intel