Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / EL817M(D)-V
Herstellerteilenummer | EL817M(D)-V |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EL817M(D)-V |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
EL817M(D)-V Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 5000Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 300% @ 5mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | 600% @ 5mA |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | - |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 4µs, 3µs |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Transistor |
Spannung - Ausgang (max.) | 35V |
Strom - Ausgang / Kanal | 50mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 60mA |
Vce-Sättigung (max.) | 200mV |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-DIP (0.400", 10.16mm) |
Supplier Device Package | 4-DIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL817M(D)-V Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EL817M(D)-V-FT |
PC123ZY2J00F
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PC814XP
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PC81710NIP
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PC81710NIP0F
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XC7K325T-1FBG676C
Xilinx Inc.
XC7S50-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
10M08DAF256I7G
Intel
10M40DCF256A7G
Intel
5AGXBA5D6F27C6N
Intel
XC6VLX365T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
AGL060V5-CSG121
Microsemi Corporation
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VQC240-3AA
Intel