Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / EL817M(D)-V
Herstellerteilenummer | EL817M(D)-V |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EL817M(D)-V |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
EL817M(D)-V Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 5000Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 300% @ 5mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | 600% @ 5mA |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | - |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 4µs, 3µs |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Transistor |
Spannung - Ausgang (max.) | 35V |
Strom - Ausgang / Kanal | 50mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 60mA |
Vce-Sättigung (max.) | 200mV |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-DIP (0.400", 10.16mm) |
Supplier Device Package | 4-DIP |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL817M(D)-V Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EL817M(D)-V-FT |
PC123ZY2J00F
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PC814XP
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EP2C8T144C8
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XCV400-6FG676C
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XC4025E-2HQ304C
Xilinx Inc.
A3PE3000-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EP3SE110F1152I3N
Intel
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H3F35I3N
Intel