Zuhause / Produkte / Isolatoren / Optoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang / EL817(S1)(B)(TB)-G
Herstellerteilenummer | EL817(S1)(B)(TB)-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EL817(S1)(B)(TB)-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
EL817(S1)(B)(TB)-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Anzahl der Kanäle | 1 |
Spannung - Isolation | 5000Vrms |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (Min.) | 130% @ 5mA |
Aktuelles Übertragungsverhältnis (max.) | 260% @ 5mA |
Ein- / Ausschaltzeit (Typ) | - |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 6µs, 8µs |
Eingabetyp | DC |
Ausgabetyp | Transistor |
Spannung - Ausgang (max.) | 80V |
Strom - Ausgang / Kanal | 50mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.2V |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max.) | 60mA |
Vce-Sättigung (max.) | 200mV |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 110°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 4-SMD, Gull Wing |
Supplier Device Package | 4-SMD |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL817(S1)(B)(TB)-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EL817(S1)(B)(TB)-G-FT |
EL817(S)(D)(TU)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(D)(TU)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TD)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TD)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TD)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TD)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TU)
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TU)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TU)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S)(TU)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
XC7S6-1FTGB196C
Xilinx Inc.
XC7A12T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
M2GL060TS-FCSG325
Microsemi Corporation
A3PN010-2QNG48I
Microsemi Corporation
EP4CE15M9C7N
Intel
5SGXMA5N2F45I2N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
5SGXMA5K2F35C1N
Intel
AGL125V2-FGG144T
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG100M
Microsemi Corporation