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Herstellerteilenummer | ELL-3GM2R7N |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ELL-3GM2R7N |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | M |
ELL-3GM2R7N Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 2.7µH |
Toleranz | ±30% |
Aktuelle Bewertung | 1A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 110 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | - |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.126" L x 0.126" W (3.20mm x 3.20mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.059" (1.50mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-3GM2R7N Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ELL-3GM2R7N-FT |
ELL-6PV1R0N
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ELL-6PV1R5N
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ELL-6PV1R8N
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel