Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / EM 2BV1
Herstellerteilenummer | EM 2BV1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EM 2BV1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
EM 2BV1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.2A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1.2A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 800V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | - |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM 2BV1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EM 2BV1-FT |
SJPB-L6V
Sanken
SJPD-D5V
Sanken
SJPD-L5
Sanken
SJPD-L5V
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SJPE-H3V
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SJPE-H4V
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SJPE-H4VR
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SJPJ-D3V
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SJPJ-D3VR
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SJPJ-H3V
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AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel