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Herstellerteilenummer | EM6M2T2R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EM6M2T2R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
EM6M2T2R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N and P-Channel |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 200mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 200mA, 4V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 10V |
Leistung max | 150mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | EMT6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM6M2T2R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EM6M2T2R-FT |
STL20DN10F7
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STL36DN6F7
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STL40C30H3LL
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STL8DN6LF3
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SH8K2TB1
Rohm Semiconductor
EMH2418R-TL-H
ON Semiconductor
XA6SLX16-3FTG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-2VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C7
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
5AGXMB3G4F31I3N
Intel
EP4SE230F29I3N
Intel
EP3C25F324I7
Intel
EP20K200EQC208-2X
Intel