Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / EMD12FHAT2R
Herstellerteilenummer | EMD12FHAT2R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EMD12FHAT2R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
EMD12FHAT2R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | - |
Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | EMT6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMD12FHAT2R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EMD12FHAT2R-FT |
RN2504(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2507(TE85L,F)
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RN1507(TE85L,F)
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RN4982,LF(CT
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RN2906,LF
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RN2911,LF
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RN4902,LF(CT
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XC2S100E-6TQ144C
Xilinx Inc.
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
EP4SGX530HH35C3ES
Intel
XC5VLX30T-1FFG665C
Xilinx Inc.
XA6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C7U19C8N
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10AX115S3F45E2SG
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EP1S40F780C5N
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