Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / EMD2FHAT2R
Herstellerteilenummer | EMD2FHAT2R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EMD2FHAT2R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
EMD2FHAT2R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | - |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | EMT6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMD2FHAT2R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EMD2FHAT2R-FT |
RN1507(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2505TE85LF
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RN1501(TE85L,F)
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RN1506(TE85L,F)
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RN4982,LF(CT
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RN2906,LF
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RN2911,LF
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RN4902,LF(CT
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RN4904,LF
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RN4910,LF
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XC4010E-1BG225C
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A3P030-1VQG100I
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M1AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
10CL120ZF484I8G
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10M16DAF484C7G
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5SGSED8K2F40I2N
Intel
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
XC7VX690T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation