Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / EMD6FHAT2R
Herstellerteilenummer | EMD6FHAT2R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EMD6FHAT2R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
EMD6FHAT2R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | EMT6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMD6FHAT2R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EMD6FHAT2R-FT |
RN2505TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1501(TE85L,F)
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RN1506(TE85L,F)
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RN4982,LF(CT
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RN2906,LF
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RN2911,LF
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RN4902,LF(CT
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RN4904,LF
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RN4910,LF
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RN4990(T5L,F,T)
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XC7A35T-2FGG484C
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LIF-MD6000-6KMG80I
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EP20K600EFC672-3
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10M50DCF256I6G
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5SGSMD4K2F40I2L
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5SGXMA5N2F45I3N
Intel
XC2V8000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100ARC240-1N
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EP2OK60EQI208-2X
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