Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays / EMT51T2R
Herstellerteilenummer | EMT51T2R |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EMT51T2R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
EMT51T2R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 PNP (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 200mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 20V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 120 @ 1mA, 6V |
Leistung max | 150mW |
Frequenz - Übergang | 350MHz |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | EMT6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMT51T2R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EMT51T2R-FT |
HN4A51JTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN4C51J(TE85L,F)
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