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Herstellerteilenummer | EPC2045ENGRT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EPC2045ENGRT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | eGaN® |
EPC2045ENGRT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 16A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 16A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 5V |
Vgs (Max) | +6V, -4V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 685pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | Die |
Paket / fall | Die |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2045ENGRT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EPC2045ENGRT-FT |
FDMC4435BZ-F126
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Microsemi Corporation
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5SGXEABK3H40I4N
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Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
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