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Herstellerteilenummer | ER1025-18JM |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ER1025-18JM |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | ER1025 |
ER1025-18JM Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Molded |
Material - Kern | Phenolic |
Induktivität | 820nH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 415mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 850 mOhm Max |
Q @ Freq | 28 @ 25MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 250MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 25MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER1025-18JM Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ER1025-18JM-FT |
NRS8030T1R5NJGJV
Taiyo Yuden
NRS8030T330MJGJV
Taiyo Yuden
NRS8030T3R3MJGJV
Taiyo Yuden
NRS8030T6R8MJGJV
Taiyo Yuden
NRV2010TR68NGFV
Taiyo Yuden
NRV3012T3R3M
Taiyo Yuden
NRV3012T4R7M
Taiyo Yuden
NRV3012T6R8M
Taiyo Yuden
B78148S1123J000
EPCOS (TDK)
B78148S1123K000
EPCOS (TDK)
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel