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Herstellerteilenummer | ER1025-52JR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ER1025-52JR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | ER1025 |
ER1025-52JR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Molded |
Material - Kern | Iron |
Induktivität | 22µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 140mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 3.3 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 2.5MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 25MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 2.5MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER1025-52JR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ER1025-52JR-FT |
ER1025-28JP
API Delevan Inc.
ER1025-28JR
API Delevan Inc.
ER1025-28KM
API Delevan Inc.
ER1025-28KP
API Delevan Inc.
ER1025-29JM
API Delevan Inc.
ER1025-29JP
API Delevan Inc.
ER1025-29JR
API Delevan Inc.
ER1025-30JM
API Delevan Inc.
ER1025-30JP
API Delevan Inc.
ER1025-30JR
API Delevan Inc.
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel