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Herstellerteilenummer | ER1025-62JR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ER1025-62JR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | ER1025 |
ER1025-62JR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Molded |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 56µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 100mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 5.7 Ohm Max |
Q @ Freq | 45 @ 2.5MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 18MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 2.5MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER1025-62JR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ER1025-62JR-FT |
ER1025-38JM
API Delevan Inc.
ER1025-38JP
API Delevan Inc.
ER1025-38JR
API Delevan Inc.
ER1025-38KM
API Delevan Inc.
ER1025-38KP
API Delevan Inc.
ER1025-39JM
API Delevan Inc.
ER1025-39JP
API Delevan Inc.
ER1025-39JR
API Delevan Inc.
ER1025-40JM
API Delevan Inc.
ER1025-40JP
API Delevan Inc.
A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel