Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / ES1BHR3G
Herstellerteilenummer | ES1BHR3G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ES1BHR3G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES1BHR3G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1BHR3G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ES1BHR3G-FT |
ES1LGHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1LJ M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1LJ R3G
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ES1LJHM2G
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ES1LJHR3G
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TSSA5U50HE3G
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TSSA5U60HE3G
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ESH1C M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG20J R3G
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BYG21M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
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5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel