Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / ES1FHM2G
Herstellerteilenummer | ES1FHM2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ES1FHM2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES1FHM2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 300V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 300V |
Kapazität @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1FHM2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ES1FHM2G-FT |
TSSA5U60HE3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ESH1C M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG20J R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG21M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG23M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
BYG23M R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1C R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1D M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1DHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
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A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel