Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / ES1GLHM2G
Herstellerteilenummer | ES1GLHM2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ES1GLHM2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES1GLHM2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 5µA @ 400V |
Kapazität @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-219AB |
Supplier Device Package | Sub SMA |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1GLHM2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ES1GLHM2G-FT |
SS26L M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26L RUG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS26LHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel