Herstellerteilenummer | ES 1Z |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ES 1Z |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
ES 1Z Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 700mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.5V @ 800mA |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 1.5µs |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | - |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES 1Z Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ES 1Z-FT |
EG 1V
Sanken
EG 1V0
Sanken
EG 1V1
Sanken
EG01
Sanken
EG01A
Sanken
EG01AV
Sanken
EG01AV0
Sanken
EG01AW
Sanken
EG01C
Sanken
EG01CV
Sanken
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel