Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / ES2BAHM2G
Herstellerteilenummer | ES2BAHM2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ES2BAHM2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES2BAHM2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 2A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 2A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2BAHM2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ES2BAHM2G-FT |
ES1DHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1J M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
ES1JHR3G
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ES2AA R3G
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ESH1D R3G
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ESH2DA R3G
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RS1G M2G
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RS1M M2G
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RS1M R3G
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XC7S100-1FGGA484C
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M1A3P1000-2FG256
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LFE2M70E-6F1152C
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EP1S20F484I6N
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