Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / ES2JAHR3G
Herstellerteilenummer | ES2JAHR3G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ES2JAHR3G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES2JAHR3G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 2A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 2A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2JAHR3G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ES2JAHR3G-FT |
S1DHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1G M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1J M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1JHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1K R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1KHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1M M2G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel