Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / ES3BHE3_A/I
Herstellerteilenummer | ES3BHE3_A/I |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ES3BHE3_A/I |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
ES3BHE3_A/I Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 30ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AB, SMC |
Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3BHE3_A/I Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ES3BHE3_A/I-FT |
S5BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5D-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5D-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5G-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5G-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5G-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel