Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / ES3HB M4G
Herstellerteilenummer | ES3HB M4G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ES3HB M4G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
ES3HB M4G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 500V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.45V @ 3A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 500V |
Kapazität @ Vr, F | 34pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AA, SMB |
Supplier Device Package | DO-214AA (SMB) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3HB M4G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ES3HB M4G-FT |
MUR315SHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR320SHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR320SHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR340SHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR340SHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR360SHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR420SHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR420SHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR440SHM6G
Taiwan Semiconductor Corporation
MUR440SHR7G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel