Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / ES3J V6G
Herstellerteilenummer | ES3J V6G |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-ES3J V6G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
ES3J V6G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 3A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AB, SMC |
Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES3J V6G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ES3J V6G-FT |
S2GHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2GHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2JHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2K R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2M M4G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2MHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
S3MBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
S5MBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK110BHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK12B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel