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ES6U1T2R Image

Rohm Semiconductor ES6U1T2R

MFG-Teilenummer
ES6U1T2R
verfügbare Anzahl
61050 Stücke
Referenzpreis
USD 0.10672
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
- MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
ES6U1T2R.pdf
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ES6U1T2R Spezifikationen

Herstellerteilenummer ES6U1T2R
Zukünftige Teilenummer FT-ES6U1T2R
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
ES6U1T2R Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Not For New Designs
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 1.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 6V
FET-Funktion Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.) 700mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package 6-WEMT
Paket / fall SOT-563, SOT-666
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ES6U1T2R Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer ES6U1T2R-FT

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