Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / ESD8351P2T5G
Herstellerteilenummer | ESD8351P2T5G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ESD8351P2T5G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
ESD8351P2T5G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 3.3V (Max) |
Spannung - Durchschlag (min.) | 5.5V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 11.2V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 5A (8/20µs) |
Leistung - Spitzenimpuls | - |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | 0.37pF @ 1MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOD-923 |
Supplier Device Package | SOD-923 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESD8351P2T5G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ESD8351P2T5G-FT |
SZMMBZ6V2ALT1G
ON Semiconductor
SL24T1G
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SZMMBZ18VALT1G
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MMBZ47VALT1G
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MMBZ12VALT1G
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XC7S50-1FTGB196C
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A42MX36-1PQG240M
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A3PN250-Z2VQ100I
Microsemi Corporation
A54SX16P-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C4
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
XC6SLX45-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP4SE230F29C4
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EP4SGX180DF29C2XN
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EP4CE30F19A7N
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