Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / ESDS302DBVR
Herstellerteilenummer | ESDS302DBVR |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-ESDS302DBVR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
ESDS302DBVR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | - |
Bidirektionale Kanäle | 2 |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 3.6V (Max) |
Spannung - Durchschlag (min.) | 4.5V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 3V (Typ) |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 12A (8/20µs) |
Leistung - Spitzenimpuls | 85W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | 2.3pF @ 1MHz |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-74A, SOT-753 |
Supplier Device Package | SOT-23-5 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESDS302DBVR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ESDS302DBVR-FT |
DF5A6.2CFU(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A3.3FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A3.6CFU(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A5.6CFUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A5.6FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2FU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.2LFUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.8CFU(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.8FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A6.8LFUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C120F484C7N
Intel
EP4SE530F43C4ES
Intel
XC6SLX25-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10M02DCU324I7G
Intel
10M16DAU324I7G
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel