Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / ESDS314DBVR
Herstellerteilenummer | ESDS314DBVR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ESDS314DBVR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
ESDS314DBVR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 4 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 3.6V (Max) |
Spannung - Durchschlag (min.) | 4.5V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 6.5V (Typ) |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 25A (8/20µs) |
Leistung - Spitzenimpuls | 170W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | General Purpose |
Kapazität bei Frequenz | 4.5pF @ 1MHz |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-74A, SOT-753 |
Supplier Device Package | SOT-23-5 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESDS314DBVR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ESDS314DBVR-FT |
DF5A5.6CFUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DF5A5.6FUTE85LF
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DF5A6.2FU(TE85L,F)
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DF5A6.8LFUTE85LF
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DF5G7M2N,LF
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DF3D18FU,LF
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DF3D29FU,LF
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XC4005E-4TQ144C
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XCV100E-7FG256C
Xilinx Inc.
XCKU11P-1FFVE1517I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
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A54SX72A-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43I2L
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A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
10AX032E1F27I1HG
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EP20K600EBC652-1
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EP1C4F324C6
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