Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / ESH1DHE3/5AT
Herstellerteilenummer | ESH1DHE3/5AT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ESH1DHE3/5AT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
ESH1DHE3/5AT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH1DHE3/5AT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ESH1DHE3/5AT-FT |
US1B-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1D-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1D-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1D-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1G-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1G-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1G-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel