Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / ESH2BHE3_A/H
Herstellerteilenummer | ESH2BHE3_A/H |
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Zukünftige Teilenummer | FT-ESH2BHE3_A/H |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
ESH2BHE3_A/H Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 2A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 930mV @ 2A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 25ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 50V |
Kapazität @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AA, SMB |
Supplier Device Package | DO-214AA (SMB) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH2BHE3_A/H Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | ESH2BHE3_A/H-FT |
SS25HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS25HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29-E3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS29-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H10-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2H10-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel