Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FCD3400N80Z
Herstellerteilenummer | FCD3400N80Z |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FCD3400N80Z |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SuperFET® II |
FCD3400N80Z Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 2A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 200µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 32W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DPAK |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCD3400N80Z Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FCD3400N80Z-FT |
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10CL010ZU256I8G
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5SGXMA7K2F40I3
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A54SX32A-1TQ100I
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APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
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EPF10K50VBC356-2N
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EPF10K50VBI356-4
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