Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FCH072N60
Herstellerteilenummer | FCH072N60 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FCH072N60 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SuperFET® II |
FCH072N60 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 52A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72 mOhm @ 26A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5890pF @ 380V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 481W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247 |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH072N60 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FCH072N60-FT |
GP1M005A050FH
Global Power Technologies Group
GP1M005A050FSH
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GP1M006A065F
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GP1M006A065FH
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GP1M006A070F
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GP1M006A070FH
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GP1M007A090FH
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GP1M008A025FG
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GP1M008A050FG
Global Power Technologies Group
GP1M008A080FH
Global Power Technologies Group
XC3164A-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
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A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
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EP4SGX360NF45C3N
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XC7S50-2CSGA324C
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5CGXFC9A6U19A7N
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