Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FCH072N60
Herstellerteilenummer | FCH072N60 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FCH072N60 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SuperFET® II |
FCH072N60 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 52A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72 mOhm @ 26A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 125nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5890pF @ 380V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 481W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247 |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH072N60 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FCH072N60-FT |
GP1M005A050FH
Global Power Technologies Group
GP1M005A050FSH
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GP1M006A065F
Global Power Technologies Group
GP1M006A065FH
Global Power Technologies Group
GP1M006A070F
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GP1M006A070FH
Global Power Technologies Group
GP1M007A090FH
Global Power Technologies Group
GP1M008A025FG
Global Power Technologies Group
GP1M008A050FG
Global Power Technologies Group
GP1M008A080FH
Global Power Technologies Group
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel