Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FCH077N65F-F085
Herstellerteilenummer | FCH077N65F-F085 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FCH077N65F-F085 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II |
FCH077N65F-F085 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 54A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 77 mOhm @ 27A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 164nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7162pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 481W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247 |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH077N65F-F085 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FCH077N65F-F085-FT |
GP1M008A025FG
Global Power Technologies Group
GP1M008A050FG
Global Power Technologies Group
GP1M008A080FH
Global Power Technologies Group
GP1M009A020FG
Global Power Technologies Group
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Global Power Technologies Group
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Global Power Technologies Group
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Global Power Technologies Group
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Global Power Technologies Group
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Global Power Technologies Group
GP1M010A080FH
Global Power Technologies Group
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Lattice Semiconductor Corporation
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
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Intel
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Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel