Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FCH104N60F
Herstellerteilenummer | FCH104N60F |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FCH104N60F |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HiPerFET™, Polar™ |
FCH104N60F Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 37A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 104 mOhm @ 18.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 139nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5950pF @ 100V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 357W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247 |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH104N60F Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FCH104N60F-FT |
GP2M023A050N
Global Power Technologies Group
GP1M003A050FG
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GP1M003A080FH
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GP1M004A090FH
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GP1M005A050FH
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GP1M005A050FSH
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GP1M006A065F
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GP1M006A065FH
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GP1M006A070F
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GP1M006A070FH
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