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Herstellerteilenummer | FCMT180N65S3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FCMT180N65S3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SuperFET® III |
FCMT180N65S3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 17A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.8mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 400V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 139W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | Power88 |
Paket / fall | 4-PowerTSFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCMT180N65S3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FCMT180N65S3-FT |
FDMS86200DC
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EX64-TQ100I
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XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
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EP4CE6E22C8N
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LFEC6E-5F484C
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5SGXEA3H2F35I3LN
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