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ON Semiconductor FCP11N60N-F102

MFG-Teilenummer
FCP11N60N-F102
verfügbare Anzahl
56730 Stücke
Referenzpreis
USD 1.362728
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
FCP11N60N-F102.pdf
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FCP11N60N-F102 Spezifikationen

Herstellerteilenummer FCP11N60N-F102
Zukünftige Teilenummer FT-FCP11N60N-F102
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
FCP11N60N-F102 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 10.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 299 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 35.6nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1505pF @ 100V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 94W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220F
Paket / fall TO-220-3 Full Pack
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCP11N60N-F102 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FCP11N60N-F102-FT

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