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ON Semiconductor FCP190N65F

Name: FCP190N65F
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCP190N65F
Price: 1.510344 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (428 reviews)

MFG-Teilenummer: FCP190N65F

verfügbare Anzahl: 76900 Stücke

Referenzpreis: USD 1.510344

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: FRFET®, SuperFET® II MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FCP190N65F.pdf

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FCP190N65F Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FCP190N65F
Zukünftige Teilenummer	FT-FCP190N65F
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	FRFET®, SuperFET® II
FCP190N65F Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	20.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	78nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3225pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	208W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-220-3
Paket / fall	TO-220-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCP190N65F Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FCP190N65F-FT

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