Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FCPF190N65S3L1
Herstellerteilenummer | FCPF190N65S3L1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FCPF190N65S3L1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SuperFET® III |
FCPF190N65S3L1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 14A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.4mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1225pF @ 400V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 33W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220F-3 |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCPF190N65S3L1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FCPF190N65S3L1-FT |
FDU8770_F071
ON Semiconductor
FDU8778
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FDU8780
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