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FD-DF80R12W1H3_B52 Image

Infineon Technologies FD-DF80R12W1H3_B52

MFG-Teilenummer
FD-DF80R12W1H3_B52
verfügbare Anzahl
96140 Stücke
Referenzpreis
USD 30.234336
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
- IGBT MODULE VCES 1200V 40A
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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FD-DF80R12W1H3_B52 Spezifikationen

Herstellerteilenummer FD-DF80R12W1H3_B52
Zukünftige Teilenummer FT-FD-DF80R12W1H3_B52
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
FD-DF80R12W1H3_B52 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Single
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) 40A
Leistung max 215W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 235nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / fall Module
Supplier Device Package Module
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FD-DF80R12W1H3_B52 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FD-DF80R12W1H3_B52-FT

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