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ON Semiconductor FDB0260N1007L

Name: FDB0260N1007L
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDB0260N1007L
Price: 3.127608 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (84 reviews)

MFG-Teilenummer: FDB0260N1007L

verfügbare Anzahl: 31420 Stücke

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: PowerTrench® MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FDB0260N1007L.pdf

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FDB0260N1007L Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FDB0260N1007L
Zukünftige Teilenummer	FT-FDB0260N1007L
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	PowerTrench®
FDB0260N1007L Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	200A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.6 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	118nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8545pF @ 50V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.8W (Ta), 250W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263)
Paket / fall	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB0260N1007L Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FDB0260N1007L-FT

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