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ON Semiconductor FDB045AN08A0-F085

MFG-Teilenummer
FDB045AN08A0-F085
verfügbare Anzahl
75440 Stücke
Referenzpreis
USD 2.39276
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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FDB045AN08A0-F085 Spezifikationen

Herstellerteilenummer FDB045AN08A0-F085
Zukünftige Teilenummer FT-FDB045AN08A0-F085
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FDB045AN08A0-F085 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 19A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 138nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6600pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 310W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package TO-263AB
Paket / fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB045AN08A0-F085 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FDB045AN08A0-F085-FT

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