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ON Semiconductor FDB047N10

Name: FDB047N10
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDB047N10
Price: 2.06908 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (510 reviews)

MFG-Teilenummer: FDB047N10

verfügbare Anzahl: 85370 Stücke

Referenzpreis: USD 2.06908

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: PowerTrench® MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FDB047N10.pdf

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FDB047N10 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FDB047N10
Zukünftige Teilenummer	FT-FDB047N10
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	PowerTrench®
FDB047N10 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	210nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	15265pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	375W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D²PAK
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB047N10 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FDB047N10-FT

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