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Herstellerteilenummer | FDB12N50FTM-WS |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FDB12N50FTM-WS |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | UniFET™ |
FDB12N50FTM-WS Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 11.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1395pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 165W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D²PAK |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDB12N50FTM-WS Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDB12N50FTM-WS-FT |
AON4705L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
FDMA86251
ON Semiconductor
FDMA86151L
ON Semiconductor
FDMA908PZ
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FDMA8051L
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FDMA8884
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A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
AT6002-4AC
Microchip Technology
5SGSED8K3F40I4N
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5SGXEB5R1F40I2N
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5SGXMA3K3F40C2N
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EP3SE260F1517C2N
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I2SGE2
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5CGXFC9E7F35C8N
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