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ON Semiconductor FDB2670

MFG-Teilenummer
FDB2670
verfügbare Anzahl
93490 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
PowerTrench® MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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FDB2670 Spezifikationen

Herstellerteilenummer FDB2670
Zukünftige Teilenummer FT-FDB2670
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie PowerTrench®
FDB2670 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 19A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1320pF @ 100V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 93W (Tc)
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package TO-263AB
Paket / fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB2670 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FDB2670-FT

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