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ON Semiconductor FDB28N30TM

Name: FDB28N30TM
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDB28N30TM
Price: 1.039328 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (542 reviews)

MFG-Teilenummer: FDB28N30TM

verfügbare Anzahl: 26440 Stücke

Referenzpreis: USD 1.039328

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: UniFET™ MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FDB28N30TM.pdf

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FDB28N30TM Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FDB28N30TM
Zukünftige Teilenummer	FT-FDB28N30TM
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	UniFET™
FDB28N30TM Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	300V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	28A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	129 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2250pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	250W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D²PAK
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB28N30TM Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FDB28N30TM-FT

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