Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FDB8132_F085
Herstellerteilenummer | FDB8132_F085 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FDB8132_F085 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
FDB8132_F085 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 350nC @ 13V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14100pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 341W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDB8132_F085 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDB8132_F085-FT |
BSS84AK-BR
Nexperia USA Inc.
BSS84AKVL
Nexperia USA Inc.
BSS84AKW-BX
Nexperia USA Inc.
BSS84LT7G
ON Semiconductor
BSZ023N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSZ0703LSATMA1
Infineon Technologies
BSZ0945NDXTMA1
Infineon Technologies
BSZ0994NSATMA1
Infineon Technologies
BTS244ZE3043AKSA2
Infineon Technologies
BUK3F00-50WFEA,518
Nexperia USA Inc.
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
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EP1K100QC208-1GZ
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