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Herstellerteilenummer | FDB8444TS |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FDB8444TS |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PowerTrench® |
FDB8444TS Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20A (Ta), 70A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 70A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 338nC @ 20V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8410pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 181W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | TO-263-5 |
Paket / fall | TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDB8444TS Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDB8444TS-FT |
CPH6350-TL-W
ON Semiconductor
DMN3026LVT-7
Diodes Incorporated
CPH6354-TL-W
ON Semiconductor
DMP6110SVT-7
Diodes Incorporated
DMP6110SVTQ-7
Diodes Incorporated
SQ3426EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
IRF5802TRPBF
Infineon Technologies
IRF5803TRPBF
Infineon Technologies
SQ3425EV-T1_GE3
Vishay Siliconix
DMN2028UVT-13
Diodes Incorporated