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ON Semiconductor FDB8870

Name: FDB8870
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDB8870
Price: 0.782384 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (516 reviews)

MFG-Teilenummer: FDB8870

verfügbare Anzahl: 99600 Stücke

Referenzpreis: USD 0.782384

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: PowerTrench® MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FDB8870.pdf

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FDB8870 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FDB8870
Zukünftige Teilenummer	FT-FDB8870
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	PowerTrench®
FDB8870 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	23A (Ta), 160A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	132nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5200pF @ 15V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	160W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	TO-263AB
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB8870 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FDB8870-FT

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