Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays / FDC6306P
Herstellerteilenummer | FDC6306P |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-FDC6306P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PowerTrench® |
FDC6306P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 1.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 441pF @ 10V |
Leistung max | 700mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Supplier Device Package | SuperSOT™-6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDC6306P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDC6306P-FT |
IRF7379TRPBF
Infineon Technologies
IRF7380PBF
Infineon Technologies
IRF7380QTRPBF
Infineon Technologies
IRF7389
Infineon Technologies
IRF7389PBF
Infineon Technologies
IRF7389TR
Infineon Technologies
IRF7901D1
Infineon Technologies
IRF7901D1TR
Infineon Technologies
IRF7901D1TRPBF
Infineon Technologies
IRF7902PBF
Infineon Technologies
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG400I
Microsemi Corporation
EP4CGX75CF23C6N
Intel
EP1S20F484C7N
Intel
EP4CE22F17C6N
Intel
5SGXEA7N3F40I3LN
Intel
10AX027E4F29I3SG
Intel
XC6VHX565T-2FFG1923C
Xilinx Inc.
10M08SCM153C8G
Intel