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ON Semiconductor FDD10AN06A0-F085

Name: FDD10AN06A0-F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDD10AN06A0-F085
Price: 0.59444 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (325 reviews)

MFG-Teilenummer: FDD10AN06A0-F085

verfügbare Anzahl: 75270 Stücke

Referenzpreis: USD 0.59444

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FDD10AN06A0-F085.pdf

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FDD10AN06A0-F085 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FDD10AN06A0-F085
Zukünftige Teilenummer	FT-FDD10AN06A0-F085
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FDD10AN06A0-F085 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	11A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	37nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1840pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	135W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	TO-252AA
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD10AN06A0-F085 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FDD10AN06A0-F085-FT

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