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Herstellerteilenummer | FDD1600N10ALZ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FDD1600N10ALZ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PowerTrench® |
FDD1600N10ALZ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 6.8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.61nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 14.9W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | DPAK |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDD1600N10ALZ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDD1600N10ALZ-FT |
RFD14N05LSM9A
ON Semiconductor
AUIRFR540Z
Infineon Technologies
IXTY08N100D2
IXYS
IRFR2407TRPBF
Infineon Technologies
IRFR24N15DTRPBF
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IRFR3303TRPBF
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IRFR7446TRPBF
Infineon Technologies
IRFR9N20DTRPBF
Infineon Technologies
IRLR120NTRPBF
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
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EP1K100QC208-1GZ
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